EUV光刻机不香了（佳能正式推出5纳米芯片压印机,国产紧随其后）

三、纳米压印技术国产进展情况

纳米压印设备执行电路图案转移，这是最重要的半导体制造工艺。据佳能介绍，传统的光刻设备通过将电路图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上，而新产品通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模来实现这一点，就像邮票一样。由于其电路图案转移过程不经过光学机构，因此可以在晶圆上忠实地再现掩模上的精细电路图案。

据称佳能纳米压印设备的技术指标不错，套刻精度达到了2.4nm/3.2nm，每小时可制造100片以上晶圆，基本达到了3D NAND大规模生产的水平。

而且更让ASML郁闷的事情是，这款佳能推出的纳米压印工艺设备，相对于ASML的光刻机芯片生产来说，能够降低40%的制造成本和90%的电量。

当然了，对于我国来说，ASML的EUV不卖，估计佳能这款设备卖的可能性也不大，我国现在还是要依靠自主创新，依靠自己搞出来先进制程EUV光刻机，或者是光刻厂，这样在未来才不会被别人轻易卡住脖子了。而这样一来，现在佳能5纳米芯片压印生产设备出来，就够让ASML难受了，如果未来我国光刻机也突破了，那么ASML估计就更卖不出去了，那可能就更加欲哭无泪了。

此次佳能公司推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备，这样的压印设备原理上跟EUV光刻机不一样，芯片加工过程比ASML的EUV光刻机更加简单，而且随着未来掩模技术的改进，这款压印芯片设备还可以生产2nm芯片。

近日消息称，韩国的SK海力士从佳能引进了纳米压印设备，计划在2025年前后，开始量产3D NAND闪存，并在测试结果很好。

因此，纳米压印技术的诞生为半导体制造领域带来了新的思路和方法。尽管其仍需进一步探索和推广，但其有望实现对传统光刻技术的替代，进一步推动了半导体制造业的创新发展。

纳米压印技术一直是国产芯片设备企业跟踪的热门技术之一，在此领域，目前主要有两大公司值得特别关注：苏大维格和天仁微纳。

二、纳米压印技术国际上的实际应用

但是目前来说，ASML可能还有喘息之机，佳能这款芯片生产设备产量低，而且目前还在完善工艺，预计2025年量产，这样一来，ASML可能还有一两年时间好快卖EUV光刻机了，如果现在还不卖，到佳能芯片生产设备大量生产的时候，ASML公司的EUV可能就卖不动了。

从苏大维格和天仁微纳来看，目前国产在纳米压印技术上是有一定的技术储备的，并非一片空白，并且在国际上也算走在前列了。国产纳米压印技术全面情况，可参看飙叔小文：深度分析！“纳米压印”能否替代传统光刻机，实现弯道超车？实验室已实现10 nm ！

它成立于2015年，是一家微纳加工设备和解决方案提供商，公司专注于纳米加工领域，尤其是纳米压印技术。

目前天仁微纳已经研发出了多款高精度紫外纳米压印设备。据官网资料显示，他们的纳米压印设备，已经可以在150／300mm基底面积上实现高精度（优于10nm ），也说是说实际精度已经达到了10nm级别。

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虽然说，目前这种设备，并没有用于大家最为熟悉的逻辑芯片、存储芯片等，但相信也不太远了。

一、纳米压印机平替EUV光刻机近在眼前

ASML郁闷了！佳能公司掀桌子了！根据媒体报道，10月13日，佳能公司正式推出5纳米芯片压印机，这样的压印机可以生产5纳米芯片，未来甚至可以生产2纳米芯片，这下ASML遇到大麻烦了。

目前，纳米压印技术已经在实际芯片制造中进行使用。

据介绍，佳能的纳米压印光刻技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，纳米压印光刻有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。

那么，纳米压印技术目前进展如何呢？苏大维格的夏珍介绍：“目前基于纳米压印技术的设备还没量产，处于量产评价阶段，但从实验室的角度来看，已经实现了10 nm，未来将进一步拓展至5nm。”

而目前这些设备，也用于DOE、AR／VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的量产。

“与EUV相比，纳米压印技术形成图案的自由度较低，因此预计将优先用于生产维持一定图案的NAND型闪存。”SK海力士开始采购设备也是因为这个原因。如果纳米压印设备实现商用化，以SK海力士为首的NAND闪存企业将能够提高从200层开始的工序难度越来越高的3D NAND闪存领域的生产效率。

另外值得关注的是深得华为哈勃投资青睐的天仁微纳。

近日，苏大维格公开表示：纳米压印光刻领域，公司设备主要为自用，对外销售金额与直写光刻机相比较小。公司已关注到纳米压印光刻在集成电路和芯片制造领域具备替代传统光刻的应用潜力，并在积极布局。