（从华为Mate60,Pro看美政商界反应）

但是，今年华为推出新一代手机Mate60 Pro，并传闻其核心处理器芯片采用本应对大陆地区封锁的7nm制程，突破了美国欲把中国半导体制造能力锁死在14nm以上的限制。在这期间，以Maire为例的美国政商界的心路变化和应激反应是怎么样的呢？

究其原因，他认为美国实施的半导体制裁漏洞百出，特别是除光刻机之外的半导体制造设备难以画出清晰的红线。不像光刻机可以简单的用光源的波长、浸润式或干式来区分尖端设备或上一代制程光刻机，气相沉积和刻蚀等设备的代际区分却不明显，很多时候仅需突破软件限制，就可以用于制造受限的先进制程。

念念不忘，必有回响。2023年10月公布的升级版对华芯片出口限制中，Allen的主张部分被采纳其中，落实他幕后推手的角色。

他提议动用政策工具包中的全部武器，加强制裁，不仅限制设备本身，还要包括服务、备件和软件升级。作为代价，他也一改之前的乐观论调，遗憾的表示中国贡献的营收缺口可能无法短时间内弥补，因此美资设备大厂的营收损失不可避免。

不仅如此，因为害怕进一步制裁，中国“恐慌性”的进口设备，将在未来数年内形成超出行业常态的过量新增产能。Maire愤怒的表示这一行为会拖累行业的整体复苏，美光等美资内存生产商继格罗方德后成为第二个受害者。

因此，Allen呼吁美国政府进一步加强遏制措施，甚至可以包括如下的全面技术扼杀：

一年多之前，笔者介绍了美半导体业内人士对中国半导体先进制程禁令的看法（《美业内鹰派观点：禁运中国DUV光刻机花小钱办大事》）。其中，一位咨询机构负责人Robert Maire发表了不少鹰派言论，乐观的认为对中国的高端光刻机限制可以“让中国回到芯片制造的石器时代”。

从中可以看到对中国的芯片制裁似乎产生了反效果，不仅刺激了中国产业界的避险心理，从just-in-time转变为just-in-case的方式购买设备。同时，也使得中国设定了更高更强的产业目标，对美国的威胁显著增加。

最大的新增内容当然是对深紫外光（DUV ）光刻机限制的修改，增加了对叠层为 2.4 纳米及以下工具的限制。这涉及到ASML 1980i型光刻机，正是台积电、英特尔和中芯国际开发 7 纳米制程时所使用的工具。而且对允许出口光刻机里美国技术含量的规则从25%降低到0%，即ASML要重新设计设备排除美国内容，也需要很多年的时间才能重新对华出口。

CSIS（Center for Strategic and International Studies战略与国际研究中心）是总部位于华盛顿特区的一间国际问题研究机构。虽然定位为独立的非营利性机构，但是CSIS致力于提供战略性分析研究和政策建议，因此与华盛顿政界有千丝万缕的联系。

Maire只是一位鹰派的商界人士，而来自智库CSIS的看法可能更能影响美国政界制定对华半导体政策。

在去年乃至今年年初之前，Marie坚信对中国的EUV等技术封锁对美负面影响有限。他认为半导体行业本质上是一场全球性的零和博弈——如果中国不能生产世界所需的芯片，那么它们将在其他地方生产；如果阿斯麦无法将光刻机卖给中国，那么中国以外的其他晶圆厂将排队等候填补空缺。

Allen的鹰派做法甚至被美国自己的半导体公司所顾虑。根据10月份纽约时报的一则文章，市值最高的半导体公司英伟达曾对他的研究提出质疑。但是，兰德公司总裁Jason Matheny（杰森-马特尼）在内的几位政策圈人士相继致电CSIS力保Allen，并将英伟达的插手公之于众，迫使CSIS管理层和英伟达出面公开表示无意影响Allen的工作以及他在CSIS的人事安排。

因此，二月他在一篇文章中称，虽然完全替代来自中国的半导体设备营收尚需时日，但是可以看到印度、越南和新加坡的新建产能，以及美国和欧洲的半导体制造回流，将很快开始弥补中国的损失。而中国本土半导体设备供应商仍处于早期阶段，他认为有生之年在光刻、刻蚀、缺陷分析等诸多芯片制造技术上中国都无法突破美日荷建立技术壁垒。

在华为Mate60 Pro采用先进芯片一事曝光后，Allen公开表示华为和中芯科技采取了一些策略突围美国禁令，比如使用“非原厂”的美国电子设计自动化（EDA）软体，再设立“空壳公司”与美国出口商合作，以及在采购美国设备和备件时宣称扩增28纳米而非更先进的7纳米晶圆线以获得采购许可等，成功避开美国法令制裁。

在外界质询为何去年的10月7日出口管制未能阻止中芯国际获得7纳米生产能力时，Allen表示中芯国际已于 2019 年实现了 14 纳米鳍状场效应晶体管（FinFet）的商业化生产，因此几乎拥有了研发 7 纳米所需的所有设备。而且这些较早购买的设备还可以通过合理的维护和最小成本的升级实现 "循环利用"（Capex Recycling），用于未来的节点。除此之外，中芯国际在2020 年底的上市前后，就已经启动了来势汹涌的设备采购和产能扩张，早于去年出口管制出现之时。

如果美国的目标是不让中国进入 5G 和人工智能领域，Marie认为按照定义美国即将输掉这场战争。因此，他甚至提出限制中国获得先进设备和制程技术的唯一有效办法是不再以光刻机光源波长来区分（例如，极紫外光刻EUV，深紫外光刻DUV 193nm等），而应该按照晶圆尺寸设定出口禁令，即仅允许中国获得8寸而非12寸的制造设备。

2022年10月7日，美国公布了影响深远的对华半导体出口管制措施，其目的是通过政策彻底毁灭中国的高端芯片产业。管制措施中制定的规则层层递进，通过掐断获得高端人工智能芯片的机会，扼杀中国人工智能产业；进而通过扼杀获得美国领先的芯片设计软件的机会，阻止中国自行设计人工智能芯片；同时，通过阻止中国购买高端美日荷半导体制造设备，避免中国自行制造高端芯片；最后，通过阻断购买设备部件的渠道，阻止中国自产先进半导体制造设备。

但是在九月初Mate60 Pro采用7nm芯片之事甚嚣尘上后，Marie突然改口，表示与中国半导体战争的“速胜论”已经失败——如果7nm一事确认，中国已将本土芯片制造能力与台积电之间的差距缩小到了有生可见的五年，与英特尔和三星的差距则更短。

限制 ArFi 浸没式光刻工具限制现有设备的维护限制 ArFi 光刻胶限制光罩限制光罩坯、写入器和其他相关必要设备限制量测设备限制 CMP （化学机械抛光）设备限制外延设备限制干法蚀刻设备限制 CVD 和 ALD 设备限制先进封装设备限制离子注入设备限制半导体制造设备子系统和子组件限制蚀刻液气体限制沉积前驱体限制带宽超过 25.6Tbps 的芯片（即使没有计算功能）限制算力大于 1000TOPS 的芯片限制 200G SerDes 的授权限制 EDA 工具限制合资企业和境内投资

在美中经济与安全审查委员会（U.S.-CHINA ECONOMIC AND SECURITY REVIEW COMMISSION）上个月递交给美国国会的2023年工作报告中，Allen在其中出现的频率非常高。其本人也多次出席国会质询，并通过不少文章和视频采访输出其鹰派主张。未来两三个月内，Allen还将就2023版出口限制的效果做追踪分析，可能会再次影响2024年版限制规则的起草，加码限制措施，值得中国产业界和其他行业相关人士持续关注。

新规则中更严苛的限制是在对人工智能芯片的出口方面。除了之前设定的TPP性能阈值限制（Total Processing Performance），还新增了性能密度阈值（等于TPP除以芯片面积）。此举是为了解决去年条例中的漏洞，即中国在搭建人工智能超级计算机时，所采购的英伟达等AI芯片可能每块单独使用都不会超过性能阈值，但它们以高带宽互联在一起时，就可能形成质变，超过性能阈值，继续推进中国在人工智能方面的研发进展。

而这个政策背后的智囊和鼓吹者，就是CSIS的Wadhwani人工智能和先进技术中心主任Gregory Allen（葛瑞格.艾伦）。最近一段时间他不仅是在一些专业领域的文章中，成为中美芯片战中的反方大将，更是在笔者追更的网络小说《重生千禧年代》中也有出镜，俨然出圈。在评价他所深入参与这个管制措施时，他表示2022年有两个日期会青史留名，一为2月24日，另一个就是措施发布的10月7日。

更为深远的影响则是对美国芯片方案（CHIPS Act）的拖累。今年年初时，Maire还认为芯片法案推动的美国本土晶圆厂建设热潮可以逐渐填补禁运中国带来的市场空白。但是中国爆买设备建设的产能会使得市场进一步供过于求。就像此前中国在其他一些行业里那样，大量中低端芯片会压低市场价格，使得其他国家无利可图。这些额外产能除了延长行业下行周期，还会反过来抑制半导体制造业向美国回归。其结果就是美国晶圆厂建设放缓，一些美国国内在建的和规划中的晶圆厂可能要推迟至少2-3年投产，避开产能过剩期。

半导体设备大厂2023年第3季度的财报相继出炉后，更是出乎这位行业人士的意料。上个季度，来自大陆的营收达到历史高值，接近多家设备大厂总营收的一半。例如，泛林设备从中国获得的收入占其总收入的48%，在阿斯麦和KLA的这一指标也分别达到了46%和43%——中国的半导体设备购买力似乎并未受到制裁的影响。

摘要： 从美国政商界人士和智库的视角，看看他们如何评价华为Mate60 Pro采用7纳米芯片、突破美技术封锁，以及他们的反应与反思。

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Maire认为美国对中国的讹诈促使后者购买了超过其所需的设备，而这将会反过来困扰整个行业。其中，对华设备销售的增长对美国最直接的影响是以一些美国半导体公司为代价，特别是与中芯国际有直接竞争关系的格罗方德。

在半导体制造设备方面，美国与日本和荷兰达成限制出口的一致政策。被限制的设备包括用于SiGe（锗硅）的外延设备、用于三维结构的某些干法蚀刻设备、用于锗硅和三维结构的湿法蚀刻、与互连相关的各种沉积设备、钴沉积、用于碳硬光罩的某些工具、用于barrier、liner和钨互连的某些原子层沉积 (ALD) 设备、与钼相关的沉积工具、光罩制作工具等。此举是为了弥补2022年版本中对蚀刻工具非常有限的管理范围。

虽然这些管制措施是以更新出口规则这一不起眼的形式发布的，但其实质是要从根本上铲除中国的整个先进技术生态系统。按照Allen的说法，“10月7日所体现的新政策是：我们不仅不允许中国在技术上取得任何进步，而且要积极逆转他们目前的技术水平“。